日本京都大學博士班之研究內容
2019-2022
1. 低電流驅動人工鐵磁性導線磁壁移動記憶體
2. 人工反鐵磁性導線電流驅動磁壁移動研究 (TDK企業共同研究)
研討會發表 :
2020.12 京都大學化學研究所120回研究發表會 (海報發表)
2020.12 日本磁氣學會第44回研究講演會 (口頭發表)
2021.05 日本奈米學會第19回大會 (口頭發表)
2021.06 日本粉體粉末冶金學會第127回講演大會 (口頭發表)
台灣旺宏電子製程開發專案內容
2010-2018
19nm NAND Flash Process Development
1. Self-Aligned Double Patterning (SADP) Word Line 製程評估 (2014-2018)
– NAND Flash SADP WL Process Evaluation/Defect Reduction
製程開發難點:SADP光阻圖樣的均勻程度會成為關鍵問題,而因為Word line的設計圖樣複雜,各種非dense區域皆可能成為製程弱點,在該點產生短路的狀況,因此有效的控制SADP Core的LWR、LER是極度重要的工作。
36nm NAND Flash Process Development
1. Self-Aligned Cobalt Silicide 製程評估 (2010)
– CoSi formation Process/Electrical characteristics Evaluation.
2. Self-Aligned Double Patterning Word Line 製程評估 (2010-2014)
– NAND Flash SADP WL Process Evaluation/Defect Reduction
製程開發難點:Word line 製程與前製程的整合 – Word line蝕刻的強度與STI氧化層Effective field height (EFH)的高度皆會影響Word line的寫入特性,需要進行多方的檢驗以創造出製程窗口,而Word line蝕刻中的loading effect也是重點,因此蝕刻過程中對於Select Gate周邊的Bit line需要進行適當的保護。
台灣國立成功大學碩士班之研究內容
2008-2010
1. 碩士論文 : 五環素與四環素有機薄膜電晶體彎曲下之載子傳輸特性
2. 相關研究-1 : 拉曼光譜與紫外光/可見光光譜應用於載子傳輸特性之檢驗方法
3. 相關研究-2 : 可溶液式鈦酸鋇介電層製備有機薄膜電晶體
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